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三星990 EVO PLUS SSD评测:第8代V-NAND带来显著性能提升
2025-02-25 11:13

在今年年初,三星发布了中阶产品990 EVO。在半年后,他们就带来了这款硬盘的升级版990 EVO PLUS。说起来,上一次三星用PLUS这个后缀还得追溯到2019年的970 EVO PLUS。而和970 EVO与970 EVO PLUS的关系一样,本次990 EVO PLUS主要体现在NAND的更换上,从990 EVO的第6代V-NAND升级到了第8代V-NAND。

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从规格表里面可以看到,升级了NAND让990 EVO PLUS拥有了更高的速度,同时也有着更大的容量可选。除此之外,其他参数就没什么变化了,比如说990 EVO PLUS同样支持PCIe 4.0 x4和PCIe 5.0 x2双模式。

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和一直采用鲜红色作为主题色的旗舰级PRO系列不同,990 EVO PLUS(也包括EVO)的配色是蓝色,它既没有继承970 EVO/EVO PLUS的橙色,也并非980的白色。相比起早前推出的990 EVO,新加的PLUS后缀颜色更淡一点。在电子产品这块,蓝色总是个很稳妥的颜色。

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990 EVO PLUS的本体就是三星SSD的一贯设计风格了,包括NAND、主控在内的一系列元器件全部位于正面,背面是纯平的,只有三星SSD的丝印和印着各种认证的贴纸。这张贴纸是铜质的,可以加强散热。

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因此正面才是这块SSD的重点,撕开印满关键信息的贴纸后,可以发现990 EVO PLUS的布局其实很宽松,NAND和主控、电源芯片各处一端,且NAND焊盘仅有两个,我们手上的2TB版本就只有一块NAND在上面!附带一提,这也许意味着采用同样方案的PM9C1a M.2 2242/2230版本能喜迎更大的容量,对于笔记本/平板/掌机等超轻薄设备的用户来说是件好事。

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先来来看看第8代V-NAND TLC,堆叠层数高达236层,比起第7代V-NAND技术的176层有了大幅度的提高,自然也比990 EVO的133层第6代V-NAND(V6 Prime)要高得多。第8代V-NAND闪存基于最新NAND闪存标准Toggle DDR 5.0接口,I/O速率达到了2.4Gbps,比上一代提升了1.2倍,这使其可满足PCIe 4.0及PCIe 5.0的要求。它的丝印是K9DYGY8J5B-CCK0。

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开头我们说到990 EVO PLUS主控没有变化,确实如此,是和990 EVO(以及刚刚提到的PM9C1a)一样的,代号为Piccolo,型号为S4LY022的ARM处理器,由三星5nm制程打造。但和990 EVO不一样的是,990 EVO PLUS的Piccolo不是以前那种环氧树脂封装,三星加了直触芯片的一个镀镍顶盖,让主控这个发热大户有着更好的散热。三星表示,这个设计让990 EVO PLUS的电源效率比990 EVO提升了73%。

990 EVO PLUS用的是DRAM Less方案,因此PCB上肯定没有给缓存留的地方。在主控下面的就是电源管理芯片了。

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测试平台就是我们一直拿来测SSD的那套,基于酷睿i9-12900K和ROG MAXIMUS Z690 EXTREME打造,因此大家可以对比990 EVO PLUS和其他我们测过的NVMe SSD的数据。和以前一样,990 EVO PLUS装在第一个M.2插槽,直连CPU。系统盘则装在芯片组引出的M.2插槽里。

990 EVO PLUS的主控支持在PCIe 5.0 x2 / PCIe 4.0 x4两种模式间切换,可以避免SSD插在PCIe 4.0 x4的插槽上降速至PCIe 4.0 x2的风险。虽然理论上来说,PCIe 5.0 x2跟PCIe 4.0 x4的速度是一样的,都是7.877GB/s,但是我们在下面的大部分测试中,都会把两种模式各测一遍,看看两种模式有什么区别。

测试内容包括CrystalDiskMark 8,PCMark 10以及TxBENCH的全盘写入等测试。为了测试出990 EVO PLUS的最佳表现,我们在三星魔术师软件里面将它的性能模式设置为Full Performance Mode,这模式会让SSD把全盘10%,约186GB的空间拿来做OP,因此你们在CrystalDiskMark 8测试中会看见全盘空间只有1677GB。

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PCIe 4.0 x4

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PCIe 5.0 x2

先看峰值性能测试,在PCIe 5.0 x2模式下,990 EVO PLUS的连续读写速度分别是7116 / 6039 MB/s,两种传输模式实在说不上有差别,多跑几次也是一样的。就7000MB/s级别的连续读取的速度来说,990 EVO PLUS可以说是充分发挥了PCIe接口的能力,显著缩小了跟旗舰级990 PRO的差距。而和990 EVO相比的话,无论读写都是进步。

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PCIe 4.0 x4

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PCIe 5.0 x2

真实性能方面,990 EVO PLUS在QD1时的连续读写速度为3646 / 4673 MB/s,4K随机读写为22100 / 104287 IOPS,4K随机读写延迟则为45 / 9 μs。和990 EVO规格上的4K随机读写(QD1)相比也是有提升的。

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PCIe 4.0 x4

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PCIe 5.0 x2

在这里我们还是拿PCIe 5.0 x2的数据:990 EVO PLUS在PCMark 10中的得分是4390 ,平均传输速率为698.42 MB/s,延迟是38  μs。表现是挺不错的。

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PCIe 4.0 x4

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PCIe 5.0 x2

其实PCMark 10的测试跟3DMark 10有一定相似性,不过3DMark更加侧重游戏方面多一点。990 EVO PLUS在这里的得分为4460,平均传输速率为758.94 MB/s,延迟是40 μs。

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在4K分辨率最高画质的设置下,990 EVO PLUS在5个场景中的总载入时间约为6.3秒。如果具体看各个场景的耗时话,短的话不到0.5秒,长的话也就是2.5秒,说得上是一个让人没有有明显感知的数字。

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因为TxBENCH全盘写入测试的目的是看看990 EVO PLUS的SLC缓存有多大,再加上上面的几个测试都证明了PCIe 4.0 x4和PCIe 5.0 x2两个模式几乎是没有区别的,所以我们就不来回切传输模式来折腾它了,而是保持在PCIe 5.0 x2模式。这个测试是在被测盘无分区的情况下进行的,会填充整个盘的可用空间。可见990 EVO PLUS的SLC缓存大小约为233GB,有缓存的时候平均写入速度在6400MB/s上下,无缓存则为1457MB/s。

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这是IOMeter对SSD全盘进行两小时的4K QD32随机写入后所记录下来的IOPS离散分布情况。990 EVO PLUS前期会在25000-30000 IOPs之间,这段时间持续了约36分钟,后面则集中在20000-21000 IOPs这个区间。

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三星990 EVO PLUS更换了新一代的NAND,同时主控的散热也得到了改进,这些升级带来的效果可以说是相当明显:峰值性能测试下的连续读写速度充分释放了PCIe 4.0 x4 / PCIe 5.0 x2接口的能力,且相当接近旗舰款990 PRO,这是个亮点。而从整体的表现来看,990 EVO PLUS比起990 EVO毫无疑问是进步的。

当然,一切最终还是要回到价格问题。目前在各大电商平台上,990 EVO PLUS目前的售价是1TB 499元,2TB 899元,而最大的4TB似乎还没到来。而比较神奇的是,同样的容量版本,990 EVO PLUS都是要比990 EVO要便宜一点的,哪怕是在三星自家的官方商城上也是如此,这样一来好像确实没有不选PLUS的理由。

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